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Artigo de periodico
Thermal-annealing effects on the structural and magnetic properties of 10% Fe-doped SnO2 nanoparticles synthetized by a polymer precursor method (2015)
Aragón, F H; Coaquira, Jose Antonia H; Nagamine, Luiz Carlos Camargo Miranda ; Cohen, Renato; Silva, S W da; Morais, P C
Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), MATERIAIS MAGNÉTICOS (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
ARAGÓN, F H et al. Thermal-annealing effects on the structural and magnetic properties of 10% Fe-doped SnO2 nanoparticles synthetized by a polymer precursor method. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 375, n. 1, p. 74-79, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.09.052. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Aragón, F. H., Coaquira, J. A. H., Nagamine, L. C. C. M., Cohen, R., Silva, S. W. da, & Morais, P. C. (2015). Thermal-annealing effects on the structural and magnetic properties of 10% Fe-doped SnO2 nanoparticles synthetized by a polymer precursor method. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 375( 1), 74-79. doi:10.1016/j.jmmm.2014.09.052
NLM
Aragón FH, Coaquira JAH, Nagamine LCCM, Cohen R, Silva SW da, Morais PC. Thermal-annealing effects on the structural and magnetic properties of 10% Fe-doped SnO2 nanoparticles synthetized by a polymer precursor method [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2015 ; 375( 1): 74-79.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.09.052
Vancouver
Aragón FH, Coaquira JAH, Nagamine LCCM, Cohen R, Silva SW da, Morais PC. Thermal-annealing effects on the structural and magnetic properties of 10% Fe-doped SnO2 nanoparticles synthetized by a polymer precursor method [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2015 ; 375( 1): 74-79.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.09.052
Trabalho de evento-resumo
Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE (2008)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2008). Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Artigo de periodico
Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells (2007)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 102, n. 4, p. 0437048/1-043704/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2769963. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, 102( 4), 0437048/1-043704/6. doi:10.1063/1.2769963
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Artigo de periodico
Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis (2006)
Miotto, R; Cunha, J F R; Silva, S W da; Soler, Maria Aparecida Godoy ; Morais, P C; Ferraz, A. C.; Tada, Dayane B; Petri, Denise Freitas Siqueira ; Baptista, Maurício da Silva
Source: Applied Surface Science. Unidades: IF, IQ
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MIOTTO, R et al. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, v. 253, n. 4, p. 1978-1982, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Miotto, R., Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Ferraz, A. C., et al. (2006). Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, 253( 4), 1978-1982. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Artigo de periodico
Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates (2004)
Monte, A F G; Soler, M A G; Silva, S W da; Rodrigues, B B D; Morais, P C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
NLM
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Vancouver
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Artigo de periodico
CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)
Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
NLM
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Vancouver
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Artigo de periodico
Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 22 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 22 ]
Trabalho de evento-resumo
Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização (2003)
Pinheiro, J Reinildes; Flores, M Z S; Freire, V N; Souza, H Fernandes de; Mesquita, M V; Freire, P T C; Cavada, B S; Arruda, G B; Oliveira, M C F de; Pinheiro, J Auri; Carvalho, M C; Leite, J. R.; Duarte, C A; Fernandez, J R L; Soares, J N T; Morais, P C; Silva, S W da; Cruz, J R; Lima Filho, L
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINHEIRO, J Reinildes et al. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Pinheiro, J. R., Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Souza, H. F. de, Mesquita, M. V., Freire, P. T. C., et al. (2003). Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 22 ]
Vancouver
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 22 ]
Artigo de periodico
Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C de; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Artigo de periodico
Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 705-707. doi:10.1016/s0026-2692(03)00107-1
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Artigo de periodico
Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities (2003)
Monte, A F G; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Cruz, J M R; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 122-123, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Monte, A. F. G., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Morais, P. C., et al. (2003). Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, 17( 1-4), 122-123. doi:10.1016/s1386-9477(02)00741-5
NLM
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Vancouver
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Artigo de periodico
Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates (2002)
Sales, F V de; Soler, M A G; Ugarte, D; Abramof, E; Quivy, A. A.; Silva, S W da; Martini, S; Moraes, P C; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, v. 311, n. 3-4, p. 285-291, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Abramof, E., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, et al. (2002). Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, 311( 3-4), 285-291. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Artigo de periodico
Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density (2002)
Sales, F V de; Silva, S W da; Monte, F G; Soler, M A G; Cruz, J M R; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Morais, P C
Source: Physica Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, v. 187, n. 7, p. 45-48, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Monte, F. G., Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Silva, M. J. da, et al. (2002). Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, 187( 7), 45-48. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Step-bunching evidence in strained 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates (2001)
Sales, F V de; Soler, M A G; Ugarte, D; Quivy, A. A.; Silva, S W da; Martini, S; Morais, P C
Source: Physica Status Solidi A - Applied Research. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESPECTROSCOPIA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Step-bunching evidence in strained 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates. Physica Status Solidi A - Applied Research, v. 187, n. 1, p. 253-256, 2001Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512456&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 22 maio 2024.
APA
Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, Martini, S., & Morais, P. C. (2001). Step-bunching evidence in strained 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates. Physica Status Solidi A - Applied Research, 187( 1), 253-256. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512456&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Morais PC. Step-bunching evidence in strained 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates [Internet]. Physica Status Solidi A - Applied Research. 2001 ; 187( 1): 253-256.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512456&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Morais PC. Step-bunching evidence in strained 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates [Internet]. Physica Status Solidi A - Applied Research. 2001 ; 187( 1): 253-256.[citado 2024 maio 22 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512456&PLACEBO=IE.pdf

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